众所周知,美国的崛起靠得就是先进的科学技术,但美国科技的先进,是靠得“烧杀抢掠”,在二战之时,美国的科学间谍到欧洲到处锁定高科技顶尖人才,威逼利诱到美国超过1600余人,助力美国的科技实现迅速飞跃。
就以芯片产业来说,其半导体技术上的四大特性,其实全部是欧洲人发现的,所以美国人在科技的实力并不像其表现的那样强大。而一旦发现有其他国家在科技上开始崛起,对美国企业造成竞争压力,美国就会动用国家力量进行打压制裁。
三十多年的日本就是如此,后来的法国阿尔斯通事件也是如此,而现在,美国又将目标瞄准了中国,开始对中企下手,但是这一次,美国是选错了对手。
现在美国对我们的打压基本上是在围绕着芯片产业,尤其是芯片制造,其中主要的措施,就是禁止美国以及他国的芯片设备企业,向我们提供芯片制造设备,例如2019年禁止ASML向我们交付EUV光刻机,现在则又联合荷兰和日本,计划继续禁止ASML和尼康向我们交付DUV光刻机。
而近日,ASML方面对此发表了自己的看法,其表示DUV光刻机方面也将会受到交付影响,但并不是所有的DUV光刻机都不可以交付,其中受到影响的主要是浸入式系列中的高端型号,确切的说,是NXT:2000i及之后的型号,而目前NXT:2000i已经停产。
因此受到影响的将会是NXT:2050i以及之后的NXT:2100i,ASML表示NXT:1980Di应该是不会受到影响,因为该型号的光刻机主要被用于制造45纳米及以下工艺的芯片。
ASML这样的研判当然是有依据的,因为之前美国方面已经要求美企对我们进行了产品断供,涉及到的芯片设备,主要是14纳米以下的型号,简单来说,美国的目的就是打压我们在先进工艺上的发展,成熟工艺不在范围之内。
但是在2021年时,ASML公司CEO就公开表示,中国将会在3年以后突破光刻机技术,这个突破其实就是45纳米及以下工艺技术,因为目前我们国产光刻机已经做到了90纳米。
这个90纳米是通过单次曝光可以实现的工艺,而通过多次曝光,则可以生产65纳米工艺芯片,而45纳米就是下一代工艺。然而就在2022年,我国光刻机光学曝光系统供应商国望光学,则发布招标公告,同时也出现了相关计划,根据计划,国望光学将会在2023年提供相关产品,涉及350/280nm 节点、90/110nm 节点、28nm 及以下节点。
也就是说,今年将会实现28纳米节点的曝光系统生产,因为我们已经量产了90纳米光刻机,因此2024年,国产28纳米光刻机就有望推出,正好符合ASML计算的3年时间节点。
而一旦国产28纳米光刻机量产,那么ASML的NXT:1980Di光刻机也就不是必需品。
之前ASML方面就表示,其对整个行业的动态了如指掌,这或许也就是为何ASML能够准确预测出3年这个时间节点的原因,同时也解释了,为何美国会要求美企禁止提供14纳米以下的设备,因为14纳米的其他芯片设备,我们基本都已经实现国产化。
而28纳米光刻机,通过双重曝光技术,就可以制造14纳米芯片,但其实还不止如此。例如ASML的NXT:1980Di光刻机虽然主要被用作生产45纳米及以下工艺芯片,但是如果通过多重曝光技术,则可以做到7纳米。
台积电第一代7纳米工艺芯片,就是NXT:1980Di光刻机所制造的,所以国产光刻机实现28纳米,那么也可以生产7纳米芯片,主要是因为这类光刻机的分辨率都已经做到了38纳米。
之所以NXT:1980Di光刻机并不主要用于生产先进工艺,主要原因是经济上不合算,成本太高,效率太低,所以才需要EUV光刻机。
而之后ASML再次表示,如果不向中国交付光刻机,那么他们可以制造出一切他们想到的设备。近日美国智库就表示:拜登的战略正在让全球去美化,在可预见的未来,中国将会在供应链中发挥作用。比尔盖茨更是直言:美国永远也无法成功阻止中国拥有强大的芯片。你同意这些观点吗?同意的话请点个赞和在看吧。
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